Publicação: Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
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Data
2010-01-01
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
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Editor
Sociedade Brasileira de Química
Tipo
Artigo
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
A computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMn xN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x<0.08), and is still significant for higher compositions (x~0.18).
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Português
Como citar
Química Nova. Sociedade Brasileira de Química, v. 33, n. 4, p. 834-840, 2010.
