Publicação: Dipole relaxation current in n-type AlxGa1-xAs
Carregando...
Data
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Materials Research Society
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
Physics and Applications of Defects In Advanced Semiconductors. Pittsburgh: Materials Research Soc, v. 325, p. 285-290, 1994.
