On the assessment of electrically active defects in high-mobility materials and devices
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Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Acesso aberto
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Resumo
A possible strategy for the characterization of grown-in and processing-induced electrically active point and extended defects in high-mobility substrates is presented and illustrated by examples obtained on Ge as a prototype system.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Citação
2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016 - Proceedings, p. 300-303.
