Publicação:
The influence of low-energy proton irradiaiton on threshold voltage and tranconductance of nanowire SOI n and p-channel transistors

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Data

2017-01-01

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Editor

Ieee

Tipo

Trabalho apresentado em evento

Direito de acesso

Acesso abertoAcesso Aberto

Resumo

the goal of this work is analyze for the first time the low-energy proton irradiation effects on p and n- channel SOI Omega - Gate Nanowire transistors for total ionization dose of 500 krad. After radiation, it is noticed a slight variation on a drain current and in a transconductance, for large devices, due to the back leakage current.

Descrição

Palavras-chave

Nanowire, proton irradiation, back leakage current, oxide charger

Idioma

Inglês

Como citar

2017 32nd Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro): Chip On The Sands. New York: Ieee, 4 p., 2017.

URI

http://hdl.handle.net/11449/160134

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