Publicação: Análise do comportamento da corrente de porta em transistores de alta mobilidade de elétrons
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Data
Autores
Orientador
Andrade, Maria Glória Caño de
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Outro
Título da Revista
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Título de Volume
Editor
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Tipo
Trabalho de conclusão de curso
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
Resumo (português)
Esse trabalho tem como foco principal estudar um transistor de efeito de campo do tipo HEMT(High Eléctron Mobility Transistor - Transistor de Alta Mobilidade e Elétrons). Um transistor sem óxido de porta e com uma construção que proporciona uma alta mobilidade de elétrons como sugere o nome HEMT. Iniciando por apresentações gerais, comportamentos esperados e tecnologias que são otimizadas a partir do uso desse dispositivo. Explicando assim como a formação do canal de gás de elétron bidimensional é formado e qual a sua influência no funcionamento de HEMT, assim como o porquê essa característica é desejável nesse caso. Em sequência, o trabalho abrange uma comparação do resultado esperado teórico dentro das características já esperadas do HEMT com as medições obtidas através da prática, comparando as características elétricas de já conhecidas e esperadas de acordo com outros estudos (literatura) com as medidas disponibilizadas para esse trabalho. Por fim, o foco do estudo foi o comportamento da corrente de porta diante de algumas perspectivas como o que é esperado de forma ideal e teórica. Como foi o comportamento prático diante das diferentes dimensões, das diferentes polarizações, das distintas temperaturas utilizadas para as medidas.
Resumo (português)
This work focuses on studying a field effect transistor, type HEMT (High Electron Mobility Transistor). A transistor free of gate oxide and with a construction that provides high electron mobility as suggested by the name HEMT. Starting with general presentations, expected behaviors and technologies that are optimized from the use of this device. Thus, explaining how the formation of the two-dimensional electron gas channel is formed and what is its influence on the functioning of HEMT, as well as why this feature is desirable in this case. In sequence, the work covers the comparison of the theoretical expected within the expected characteristics of the HEMT with the measurements obtained through practice, comparing the electrical characteristics of those already known and expected according to other studies with the measurements made available for this work. Finally, the focus of the study was the behavior of the gate current from some perspectives such as what is ideally and theoretically expected. How was the practical behavior in face of the different sizes, the different polarizations, the different temperatures used for measurement.
Descrição
Palavras-chave
Alta mobilidade de Elétrons, HEMT, Corrente de Porta, Gate current, 5G, Transistores de efeito de campo, Características elétricas HEMT, HEMT electrical characteristics, High electron mobility transistors, Field effect transistors
Idioma
Português
