Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor

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Data

2019-01-01

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Coorientador

Pós-graduação

Curso de graduação

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Editor

Ieee

Tipo

Trabalho apresentado em evento

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Resumo

In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect.

Descrição

Idioma

Inglês

Como citar

2019 Joint International Eurosoi Workshop And International Conference On Ultimate Integration On Silicon (eurosoi-ulis). New York: Ieee, 3 p., 2019.

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