New method for self-heating estimation using only DC measurements
Nenhuma Miniatura disponível
Data
2018-01-01
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Ieee
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Resumo
This paper reports a new method for estimating the thermal resistance of a device using the inverse of the transistor efficiency as a function of the power applied to the transistor's channel. The advantages of this new method are the use of DC measurements only and errors smaller than 4% in the estimation of the channel temperature increase due to the SHE when compared to a pulsed method for the UTBB SOI studied in this work.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
2018 Joint International Eurosoi Workshop And International Conference On Ultimate Integration On Silicon (eurosoi-ulis). New York: Ieee, p. 149-152, 2018.
