Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor
Nenhuma Miniatura disponível
Data
2019-04-01
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Resumo
In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect.
Descrição
Idioma
Inglês
Como citar
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2019.
