Publicação: Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells
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Data
2002-07-16
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
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Editor
Wiley-Blackwell
Tipo
Artigo
Direito de acesso
Acesso restrito
Resumo
Cubic phase group III-nitrides were grown using RF plasma assisted Molecular Beam Epitaxy on GaAs (001) substrates. High-resolution X-ray diffraction, photoluminescence, cathodoluminescence and photoreflectance measurements were employed to characterize the structural and optical properties of GaN/AlxGa1-xN Multi Quantum Well (MQW) structures, in which both Aluminum content and well widths were varied. The observed quantized states are in agreement with first-principles based theoretical calculations.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
Physica Status Solidi A-applied Research. Weinheim: Wiley-v C H Verlag Gmbh, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002.
