Improvement of gm/ID method for detection of self-heating effects
Carregando...
Data
2018-01-01
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
This paper presents an improvement on the use of the transistor efficiency to verify the presence of self-heating effects using only DC measurements. Applying this improved method on FinFET devices allowed the establishment of a comparison of the self-heating effect among devices with different channel lengths, despite their different channel length modulation effects.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
ECS Transactions, v. 85, n. 8, p. 73-78, 2018.