Maurity, A.J.S [UNESP]Lunas, F.R [UNESP]Carvalho, C.L [UNESP]Reynoso, V.C.S [UNESP]Aquino, Hermes Adolfo de [UNESP]2014-05-202014-05-202012-03-01Revista Brasileira de Ensino de Física. Sociedade Brasileira de Física, v. 34, n. 1, p. 1-8, 2012.1806-1117http://hdl.handle.net/11449/10041Neste trabalho foi montado um sistema para determinar propriedades de transporte, tais como, a resistividade elétrica, a densidade e a mobilidade dos portadores de carga elétrica de filmes finos utilizando o efeito Hall, nas condições de laboratório de ensino, utilizando materiais de fácil aquisição. Filmes finos de SnO2 dopados com Fluor obtidos por processos químicos de deposição foram caracterizados e apresentaram resultados consistentes com o que existe na literatura.In this work was built a system to determine transport properties such as electrical resistivity, charge carrier density and mobility of thin films using Hall effect in special conditions of undergraduate laboratory using no special materials either instruments. SnO2 thin films doped with fluor obtained by chemical process were characterized using the developed methodology and presented consistent results those reported in literature.1-8porefeito Hallfilmes finosresistividademobilidadeportadores de cargasHall Effectthin filmresistivitymobilitycharge carriersArtigo10.1590/S1806-11172012000100007S1806-11172012000100007WOS:000302011500007Acesso abertoS1806-11172012000100007.pdf531978501401647598000398138671162642875331083480