Estudo da anisotropia óptica e elétrica de filmes finos derivados do politiofeno - Riga Junior, Luiz Antonio [UNESP] (Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2024)
Os Politiofenos são polímeros semicondutores amplamente estudados e aplicados em diversos tipos de dispositivos. Na literatura, podem ser encontrados trabalhos que tratam de caracterizações referentes a anisotropia de politiofenos e que no entanto não abordam filmes finos produzidos através da técnica de Langmuir-Schaefer (LS). Este trabalho visou o estudo da anisotropia em filmes finos de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) e poli(3-octiltiofeno) (P3OT), confeccionados por LS com alteração no ângulo de deposição utilizado. Os resultados obtidos aparentam indicar boa organização estrutural para os filmes LS de P3HT e P3OT, este indicando a formação de filmes com maior anisotropia óptica bem como anisotropia elétrica mais acentuada em comparação com os filmes LS de P3HT. Para as deposições realizadas, a que obteve melhores resultados de fotocorrente foram para o filme de P3OT depositado com orientação do eletrodo interdigitado ortogonal às barreiras móveis da cuba de Langmuir, indicando uma clara relação entre a orientação de deposição e a intensidade de respostas elétricas dos filmes. Além disso, foram obtidos diferentes resultados de fotocondutividade para faixas de comprometimento de onda distintas, indicando a possibilidade da existência de mecanismos diferenciados de fotoexcitação que dependem do comprimento de onda da luz incidente nos filmes LS de P3OT. Os dados experimentais obtidos possuem grande potencial para a investigação dos mecanismos envolvidos na geração e transporte de carga para filmes LS de politiofenos, que pode culminar no aperfeiçoamento das técnicas de deposição mais adequadas para cada material.

Polythiophenes are semiconductor polymers widely studied and applied in different types of devices. In the literature, researches can be found that deal with characterizations relating to the anisotropy of polythiophenes which, however, do not address thin films produced using the Langmuir-Schaefer (LS) technique. This work aimed to study the anisotropy in thin films of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and poly(3-Octylthiophene) (P3OT), made by LS with changes in the deposition angle used. The results obtained appear to indicate good structural organization for the P3HT and P3OT LS films, which indicates the formation of films with greater optical anisotropy as well as more pronounced electrical anisotropy compared to the P3HT LS films. For the depositions carried out, the one that obtained the best photocurrent results were for the P3OT film deposited with the orientation of the interdigitated electrode orthogonal to the mobile barriers of the Langmuir trough, indicating a clear relationship between the deposition orientation and the intensity of electric responses from the films. Furthermore, different photoconductivity results were obtained for different wavelength ranges, indicating the possibility of the existence of different photoexcitation mechanisms that depend on the wavelength of the light incident on the P3OT LS films. The experimental data obtained has great potential for investigating the mechanisms involved in charge generation and transport for polythiophene LS films, which can culminate in the improvement of the most suitable deposition techniques for each material.
Study of the optical and electrical anisotropy of thin films derived from polythiophene
Keywords: Politiofenos; Anisotropia; Filmes de Langmuir-Schaefer; Fotocondutividade; Polythiophenes; Anisotropy; Langmuir-Schaefer films; Photoconductivity