Efeito dos protocolos de irradiação sobre diferentes áreas da superfície apicectomizada, em função da potência de aplicação, sobre a alteração de temperatura radicular, rugosidade e incidência de resíduos - Fiscarelli, Victória Maria [UNESP] (Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2022)
Este estudo teve como objetivo avaliar o efeito da aplicação dos protocolos com o Thera Lase Surgery (TL), nas potências de 2.5W (2.5) ou 2.7W (2.7), e do Gemini (GE), nas potências de 1.5W (1.5) ou 1.7W (1.7), na superfície apicectomizada sobre a variação da temperatura radicular, rugosidade e incidência de resíduos nas áreas próximas ao perímetro do canal radicular e da superfície radicular externa. Cinquenta raízes foram tratadas endodonticamente. O terço radicular apical foi submetido a apicectomia e os espécimes divididos em 5 grupos (n=10), de acordo com o protocolo de tratamento: Controle (CO-DW), apenas irrigação com soro fisiológico; Thera Lase Surgery, potência 2.5W (TL-2.5); Thera Lase Surgery, potência 2.7W (TL-2.7); Gemini,potência 1.5W (GE-1.5) e Gemini, potência 1.7W (GE-1.7). A rugosidade da superfície (RS) foi analisada em microscopia confocal e a incidência de resíduos (escores) foi avaliada em microscopia eletrônica de varredura (500x), no perímetro do canal radicular e próximo à superfície externa radicular. Houve semelhança nos protocolos de irradiação (p>0.05). CO-DW e GE-1.5 proporcionaram a menor rugosidade superficial (p<0.05) e TL-2.5, TH-2.7 e GE1.7 demonstraram similares resultados (p>0.05), independentemente da área analisada. Tl-2.7 e GE-1.7 demonstraram a maior incidência de resíduos apenas próximo ao canal radicular (p<0.05). Os protocolos de irradiação com o TL-2.7 e GE-1.7 proporcionam os maiores valores de rugosidade superficial da área apicectomizada e incidência de resíduos próximo ao perímetro do canal radicular, em relação aos protocolos TL-2.5 e GE-1.5, porém sem demonstrar diferenças na variação de temperatura na superfície externa radicular. Palavras chave: Apicectomia. Laser de estado sólido. Lasers semicondutores.

The objective of the study was to evaluate the effect of the application of protocols with Thera Lase Surgery (TL), in the powers of 2.5W (2.5) or 2.7W (2.7), and of the Gemini (GE), in the powers of 1.5W (1.5) or 1.7W (1.7), on the apicectomized surface over the variation of root temperature, roughness and incidence of residues in the areas close to the perimeter of the root canal and the external root surface. Fifty roots were endodontically treated. The apical root third underwent apicectomy and the specimens were divided into 5 groups (n=10), according to the treatment protocol Control (CO-DW), only irrigation with saline solution; Thera Lase Surgery, power 2.5W (TL-2.5); Thera Lase Surgery, power 2.7W (TL-2.7); Gemini, 1.5W power (GE-1.5) and Gemini, 1.7W power (GE-1.7). The surface roughness (Rs) was analyzed in confocal microscopy and the incidence of residues (scores) was evaluated in scanning electron microscopy (500x), in the perimeter of the root canal and close to the external root surface. The temperature variation was similar between the irradiation protocols (p>0.05). CO-DW and GE-1.5 provided the lowest surface roughness (p<0.05) and TL-2.5, TH-2.7 and GE1.7 showed similar results (p>0.05), regardless of the analyzed area. Tl-2.7 and GE-1.7 showed the highest incidence of residues only near the root canal (p<0.05). The irradiation protocols with the TL-2.7 and GE-1.7 provide the highest values of surface roughness of the apicectomized area and incidence of residues close to the perimeter of the root canal, in relation to the TL-2.5 and GE-1.5 protocols, but differences on the temperature variation on the external root surface. Keywords: Apicectomy. Lasers, Solid-State. Lasers, Semiconductor.
Effect of irradiation protocols on different areas of the apicectomized surface, as a function of application power, on the change in root temperature, roughness and incidence of residues
Keywords: Apicectomia; Laser de estado sólido; Lasers semicondutores; Apicectomy; Lasers, Solid-State; Lasers, Semiconductor.