EGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricas - Fernandes, José Diego [UNESP] (Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2025)
EGOFETs and Schottky diode: influence of the supramolecular arrangement on electrical properties
Os dados mostraram que os dispositivos respondem à luz de forma semelhante a processos de memória biológica, mas o desempenho depende fortemente do material usado como eletrólito. As técnicas utilizadas envolveram desde métodos de fabricação (PVD, fotolitografia), passando por análises estruturais avançadas (espectroscopias, microscopia e cálculos teóricos), até medições elétricas e ópticas detalhadas (curvas de corrente, resposta a pulsos de luz). Sendo assim, os dispositivos construídos (fotoresistores e transistores EGOFETs) foram avaliados para entender como eles reagem à luz e como podem imitar funções de memória do cérebro. Os principais dados coletados foram: Resposta elétrica à luz: medição da corrente elétrica quando o dispositivo era iluminado por pulsos de luz azul. Aprendizado e esquecimento: verificação de como o dispositivo respondia a ciclos repetidos de luz, mostrando se “aprendia” a reagir mais rápido ou “esquecia” após certo tempo no escuro. Comparação entre materiais: o mel foi usado como material isolante natural e comparado com um eletrólito sintético comercial. O mel funcionou, mas mostrou limitações (resposta fraca e esquecimento rápido). O eletrólito comercial apresentou desempenho muito melhor (resposta intensa e memória mais longa). Medições elétricas: análise das curvas de corrente versus tensão para confirmar o funcionamento como transistor, tanto no escuro quanto sob iluminação.
Keywords: Semicondutores; Transistores; Dispositivos optoeletrônicos