Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica

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dc.contributor.authorMazini, Melânia Cristina [UNESP]
dc.contributor.authorSambrano, Julio Ricardo [UNESP]
dc.contributor.authorCavalheiro, Alberto Adriano
dc.contributor.authorLeite, Douglas Marcel Gonçalves [UNESP]
dc.contributor.authorSilva, José Humberto Dias da [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Mato Grosso do Sul (UEMS)
dc.date.accessioned2014-05-20T15:10:25Z
dc.date.available2014-05-20T15:10:25Z
dc.date.issued2010-01-01
dc.description.abstractA computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMn xN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x<0.08), and is still significant for higher compositions (x~0.18).en
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista Departamento de Matemática
dc.description.affiliationUniversidade Estadual de Mato Grosso do Sul (UEMS)
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista Departamento de Física
dc.description.affiliationUnespUniversidade Estadual Paulista Departamento de Matemática
dc.description.affiliationUnespUniversidade Estadual Paulista Departamento de Física
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
dc.format.extent834-840
dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1590/S0100-40422010000400013
dc.identifier.citationQuímica Nova. Sociedade Brasileira de Química, v. 33, n. 4, p. 834-840, 2010.
dc.identifier.doi10.1590/S0100-40422010000400013
dc.identifier.fileS0100-40422010000400013.pdf
dc.identifier.issn0100-4042
dc.identifier.lattes6284168579617066
dc.identifier.lattes1134426200935790
dc.identifier.scieloS0100-40422010000400013
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/27619
dc.identifier.wosWOS:000278322500013
dc.language.isopor
dc.publisherSociedade Brasileira de Química
dc.relation.ispartofQuímica Nova
dc.relation.ispartofjcr0.646
dc.relation.ispartofsjr0,255
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceSciELO
dc.subjectGaNen
dc.subjectdiluted magnetic semiconductor (DMS)en
dc.subjectDFTen
dc.titleEfeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônicapt
dc.title.alternativeIndirect effects of the Mn incorporation on the electronic structure of nanocrystalline GaNen
dc.typeArtigo
unesp.author.lattes6284168579617066
unesp.author.lattes1134426200935790
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Faculdade de Ciências, Baurupt
unesp.departmentFísica - FCpt

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