Logotipo do repositório

Modelling of the influence of the layer pollution thickness in high voltage polluted insulators

Carregando...
Imagem de Miniatura

Orientador

Coorientador

Pós-graduação

Curso de graduação

Título da Revista

ISSN da Revista

Título de Volume

Editor

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Tipo

Trabalho apresentado em evento

Direito de acesso

Acesso abertoAcesso Aberto

Resumo

An experimental model and a mathematical model with the introduction of a ramp in the channel of Obenaus model are presented. The aim is to present a better reproduction of the real layer pollution deposited on the HV insulators. This better reproduction is obtained from two types of thickness variation: the introduction of a ramp (soft variation) and the introduction of a step (sudden variation). The computational simulations and the experimental data suggest that the introduction of the ramp is the better reproduction of the layer pollution. The ramp approximates to the real layer pollution more than the step.

Descrição

Idioma

Inglês

Citação

IEEE International Conference on Conduction & Breakdown in Solid Dielectrics, p. 508-512.

Itens relacionados

Financiadores

Unidades

Tipo de item:Unidade,
Ilha Solteira, Faculdade de Engenharia - FEIS
FEIS
Campus: Ilha Solteira

Departamentos

Cursos de graduação

Programas de pós-graduação