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Characterization of linear and nonlinear carrier generation in silicon nano-waveguides at 1550 nm

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Resumo

We characterize the generation of free-carriers in a silicon strip nano-waveguide at 1550 nm performing pump-and-probe measurements. Compared with bulk silicon, we identified a higher effective two-photon absorption coefficient and a significant carrier-generation via single-photon absorption.

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Idioma

Inglês

Citação

Optics InfoBase Conference Papers, v. Part F92-CLEO_AT 2018.

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