Sensores attomolares e aplicações de dispositivos fotoelétricos com sinal transdutor resistivo-capacitivo quântico (rc) do grafeno de camada única (slg) modificados com pontos quânticos semicondutores orgânicos
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Resumo
A presente invenção refere-se a sensores utilizados através da modificação química única do grafeno de camada única (SLG) com constituintes como pontos quânticos semicondutores orgânicos (OSQDs) especificamente projetados, constituídos por moléculas orgânicas heterocíclicas, p-conjugadas semicondutoras do tipo pushpull, permitindo a criação de estados resistivo-capacitivo quânticos específicos devido à superposição dos estados orbitais moleculares (SLG e OQDs). O conjunto químico OQDs-GCU forma uma interface eletroquímica que permite sua aplicação como sensor molecular e dispositivo eletro-óptico. Isso é possibilitado pelas propriedades do componente OQDs do sistema que, dentro das propriedades de fotoabsorção que permitem a fotoexcitação da interface, permitindo explorar características optoeletrônicas usando características RC quânticas mensuráveis da interface como sinal de transdutor.
Descrição
Processo: BR 1020250030357A2
Classificação IPC: G01N 27/221; G01N 33/50; G01R 27/2605; G01N 27/02; G01N 33/487
Classificação IPC: G01N 27/221; G01N 33/50; G01R 27/2605; G01N 27/02; G01N 33/487
Palavras-chave
Idioma
Português
