Caracterização de dispositivos HEMT
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Data
Autores
Supervisor
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
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Editor
Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo
Relatório de pós-doc
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
O projeto que aqui foi implementado, é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nano eletrônica no Brasil, uma vez que pesquisou dispositivos semicondutores avançados. Mais especificamente, transistores de alta mobilidade (HEMTs - High Electron Mobility Transistors) Tratam-se de estruturas de transistores promissoras de dimensões manométricas fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações que irão se somar ou em muitos casos substituir os atualmente utilizados. Por meio de análises experimentais analizou-se o desempenho elétrico e analógico desses dispositivos que foram estudados em função dos métodos de fabricação, dos materiais utilizados, das geometrias de construção, das dimensões e da temperatura de operação, ruído baixa frequência entre outros. Tais parámetros, como demonstrado nos resultados alcansados, tem importante influencia no comportamento dos dispositivos e é oportuno citar que muitas vezes se diferere de forma fundamental dos dispositivos mais comuns construidos a partir do silício. Entere outros temas aqui apreciados é mister destacar como exemplo o comportamento singular ta tensão de limiar (VTH) que como demonstrado, não aumenta de maneira linear com o incremento da tensão de dreno e para ser estudado requer motodo particular de extração, o que demandou a exploração e comparação de diversos metodos de obtenção do VTH. Ainda, outro exemplo interessante de relatar é o comportamento singular da corrente em funão de tensão de dreno, este só pode ser entendido a luz de uma maior compreenção da estrutura do dispositivo. Esses topicos somados aos demais estudos, ajudam a elucidar o comportamento peculiar dos tranzistore HEMET e assim facilitar o uso deles em circuitos eletronicos avançados. É funtamental informar que os estudos realizados neste projeto, apesar de bastante relevantes estão longe de encerrar os temas abordado e tem muito potencial aida para novas abordágems que podem ser implementada por outros pesquisadores desta intituição. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho fundamentou-se nas caracterizações elétricas realizadas no Centro Interuniversitário de microeletrônica (Imec - Interuniversity microelectronics center) em (Bélgica), assim como, por dispositivos descritos (estudados) na literatura e/ou fabricados por outros centros de pesquisa.
Descrição
Idioma
Português
Citação
GRAZIANO JUNIOR, Nilton. Caracterização de dispositivos HEMT. 2026. Relatório (Pós-doutorado) - Instituto de Ciência e Tecnologia, Universidade Estadual Paulista, Sorocaba, 2026.
