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EGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricas

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dc.contributor.authorFernandes, José Diego [UNESP]
dc.date.accessioned2025-10-10T14:03:03Z
dc.date.issued2025-10-09
dc.descriptionOs dados mostraram que os dispositivos respondem à luz de forma semelhante a processos de memória biológica, mas o desempenho depende fortemente do material usado como eletrólito. As técnicas utilizadas envolveram desde métodos de fabricação (PVD, fotolitografia), passando por análises estruturais avançadas (espectroscopias, microscopia e cálculos teóricos), até medições elétricas e ópticas detalhadas (curvas de corrente, resposta a pulsos de luz). Sendo assim, os dispositivos construídos (fotoresistores e transistores EGOFETs) foram avaliados para entender como eles reagem à luz e como podem imitar funções de memória do cérebro. Os principais dados coletados foram: Resposta elétrica à luz: medição da corrente elétrica quando o dispositivo era iluminado por pulsos de luz azul. Aprendizado e esquecimento: verificação de como o dispositivo respondia a ciclos repetidos de luz, mostrando se “aprendia” a reagir mais rápido ou “esquecia” após certo tempo no escuro. Comparação entre materiais: o mel foi usado como material isolante natural e comparado com um eletrólito sintético comercial. O mel funcionou, mas mostrou limitações (resposta fraca e esquecimento rápido). O eletrólito comercial apresentou desempenho muito melhor (resposta intensa e memória mais longa). Medições elétricas: análise das curvas de corrente versus tensão para confirmar o funcionamento como transistor, tanto no escuro quanto sob iluminação.pt
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.description.sponsorshipIdFAPESP: 2020/12060-1
dc.description.sponsorshipIdFAPESP: 2022/14423-0
dc.formatPDF
dc.formatEXP
dc.formatSMP
dc.formatOPJ
dc.formatXLS
dc.formatBMP
dc.identifier.lattes1270815846605180
dc.identifier.orcid0000-0001-9891-1061
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11449/314215
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso abertopt
dc.subjectSemicondutorespt
dc.subjectTransistorespt
dc.subjectDispositivos optoeletrônicospt
dc.titleEGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricaspt
dc.title.alternativeEGOFETs and Schottky diode: influence of the supramolecular arrangement on electrical propertiesen
dc.typeDado de pesquisapt
dspace.entity.typePublication
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unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Ciências e Tecnologia, Presidente Prudentept
unesp.departmentFísica - FCTpt
unesp.embargoOnlinept

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