Um estudo da influência de defeitos sobre a relaxação dielétrica e outras propriedades físicas relacionadas de filmes finos de BiFeO3

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dc.contributor.advisorAraújo, Eudes Borges de [UNESP]
dc.contributor.authorReis, Saulo Portes dos
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2020-03-20T13:27:39Z
dc.date.available2020-03-20T13:27:39Z
dc.date.issued2020-01-31
dc.description.abstractEste trabalho relata o impacto de defeitos nas propriedades elétricas de filmes finos de \BF, com diferentes defeitos introduzidos durante a síntese. As fases secundárias e as vacâncias de oxigênio foram os defeitos mais aparentes em comparação aos filmes monofásicos. As propriedades estruturais foram analisadas por difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia de piezo-resposta (PFM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). As propriedades elétricas dos filmes foram estudadas em termos de relaxação dielétrica, condutividade elétrica e condutividade local através de grãos e contornos de grãos. Para fazer isso, foi feita uma descrição completa do formalismo da impedância. No processo termicamente ativado, as energias de ativação da relaxação e condução dielétrica foram muito semelhantes para os filmes com fases secundárias. Por outro lado, a energia de ativação da condução aumenta para o filme monofásico tratado em atmosfera de oxigênio. Essas energias de ativação foram atribuídas às primeira e segunda ionização de vacâncias de oxigênio. O controle de defeitos durante a síntese dos filmes mostrou-se útil para controlar a condutividade elétrica e outros parâmetros relacionados aos filmes finos de BiFeO3.pt
dc.description.abstractThis work reports the impact of defects on the electrical properties of BiFeO3 thin films with different defects introduced during the synthesis. Secondary phases and oxygen vacancies were the most apparent defects compared to single-phase films. The structural properties were analyzed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, piezoresponse force microscopy (PFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The electrical properties of the films were studied in terms of dielectric relaxation, electrical conductivity and local conductivity through grain and grain boundaries. To do this, a thorough description of the impedance formalism was made. From thermally activated process, the activation energies of dielectric relaxation and conduction were very similar for films with secondary phases. On the other hand, the activation energy of conduction increases for single-phase film post annealed in oxygen atmosphere. These activation energies were attributed to the first and second ionization oxygen vacancies. The control of defects during the synthesis of the films was shown to be useful to control the electrical conductivity and other parameters related to the thin films of BiFeO3.en
dc.identifier.aleph000929774
dc.identifier.capes33004099083P9
dc.identifier.lattes6725982228402054
dc.identifier.orcid0000-0003-3946-1771
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/191924
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.subjectMultiferroicospt
dc.subjectFilmes finospt
dc.subjectPropriedades dielétricaspt
dc.subjectDefeitospt
dc.subjectEspectroscopia de impedânciaen
dc.subjectMultiferroicsen
dc.subjectThin filmsen
dc.subjectDielectric propertiesen
dc.subjectDefectsen
dc.subjectImpedance spectroscopyen
dc.titleUm estudo da influência de defeitos sobre a relaxação dielétrica e outras propriedades físicas relacionadas de filmes finos de BiFeO3pt
dc.title.alternativeA study of the influence of defects on dielectric relaxation and other related physical properties of BiFeO3 thin filmsen
dc.typeTese de doutorado
unesp.advisor.lattes6725982228402054(1)
unesp.advisor.orcid0000-0003-3946-1771(1)
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Faculdade de Engenharia, Ilha Solteirapt
unesp.embargoOnlinept
unesp.examinationboard.typeBanca públicapt
unesp.graduateProgramCiência dos Materiais - FEISpt
unesp.knowledgeAreaFísica da matéria condensadapt
unesp.researchAreaMateriais ferroelétricospt

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