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Publicação:
Caracterização de diodos tipo Schottky fabricados com poli-o-metoxianilina em diversas temperaturas

dc.contributor.advisorChinaglia, Dante Luis [UNESP]
dc.contributor.authorBalthazar, Lucas Igor [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2015-03-23T15:06:23Z
dc.date.available2015-03-23T15:06:23Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractTechnological advances achieved during the twentieth century strongly boosted the scientific research in the area of condensed matter physics, especially in the study and development of new semiconductor materials. In the segment, the development of semiconducting polymers for application in electronic devices promotes the field of organic electronics...(Complete abstract click electronic access below)en
dc.description.abstractO avanço tecnológico conquistado ao longo do século XX impulsionou fortemente as pesquisas científicas na área de física da matéria condensada, sobretudo, no estudo e desenvolvimento de novos materiais semicondutores. Nesse segmento, o desenvolvimento de polímeros semicondutores para aplicação em dispositivos eletrônicos fomenta o campo da eletrônica orgânica...(Resumo completo, clicar acesso eletronico abaixo)pt
dc.format.extent38 f.
dc.identifier.aleph000732146
dc.identifier.citationBALTHAZAR, Lucas Igor. Caracterização de diodos tipo Schottky fabricados com poli-o-metoxianilina em diversas temperaturas. 2013. 38 f. Trabalho de conclusão de curso (bacharelado - Física) - Universidade Estadual Paulista, Instituto de Geociências e Ciências Exatas, 2013.
dc.identifier.filebalthazar_li_tcc_rcla.pdf
dc.identifier.lattes8870539749821067
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/118174
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceAleph
dc.subjectSemicondutorespt
dc.subjectSchottky, Diodos de barreira dept
dc.subjectSemicondutores - Dopagempt
dc.subjectPolimerospt
dc.subjectPolimeros condutorespt
dc.subjectDiodospt
dc.titleCaracterização de diodos tipo Schottky fabricados com poli-o-metoxianilina em diversas temperaturaspt
dc.typeTrabalho de conclusão de curso
dspace.entity.typePublication
unesp.author.lattes8870539749821067
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Instituto de Geociências e Ciências Exatas, Rio Claropt
unesp.undergraduateFísica - IGCEpt

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