Estudo das propriedades interfaciais e térmicas de heteroestruturas baseadas em nitreto de boro hexagonal e diamante

Abstract

O presente trabalho tem como objetivo observar as propriedades da interface formada por diamante e nitreto de boro hexagonal (h-BN), visando aprimorar as interações entre os dois materiais, em especial para usos em dispositivos eletrônicos, como, por exemplo, transistores de efeito de campo (FETs). As simulações foram realizadas utilizando um campo de força reaxFF para analisar heteroestruturas contendo diamante orientado em três direções (100), (110), e (111), considerando superfícies reconstruídas e hidrogenadas. As simulações ajudaram a observar uma redução de distância interfacial e aumento de interação eletrostática entre o diamante e o h-BN em estruturas contendo superfície hidrogenada, sugerindo maior estabilidade e eficiência no uso destas superfícies na produção de FETs.

The present work has the objective of observing the properties of an interface formed by diamond and hexagonal boron nitride (h-BN), with the goal of bettering the interactions between both materials, specially for usage in electronic devices, such as, for example, field effect transistors (FETs). The simulations were run utilizing a reaxFF force field to analise heterostructures containing diamond oriented in three directions (100, 110, and 111), considering surfaces both reconstructed and hydrogenated. The simulations highlighted a reduction in the interfacial distance and an increase in electrostatic interaction between both materials in structures made up of hydrogenated surfaces, suggesting better stability and efficiency in their uses in the production of FETs