Propriedades ópticas e elétricas relacionadas a formação de dipolos em heteroestruturas baseadas em semicondutores óxidos
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Data
Autores
Supervisor
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
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Editor
Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Tipo
Relatório de pós-doc
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
Este relatório é referente ao período de maio de 2024 a maio de 2026. O projeto envolveu a continuidade na caracterização elétrica e óptica da heteroestrutura de GaAs e SnO2, trabalho executado durante o doutorado, incluindo a investigação de dipolos elétricos presentes nesses materiais semicondutores, e a expansão deste trabalho, estudando a interação entre esses dipolos e a presença de luz monocromática. Heteroestruturas GaAs/SnO2 depositadas na forma de filmes finos, com SnO2 dopado com íons Er ou Eu, apresentam a formação de dipolos elétricos tanto nas camadas individuas como na região interfacial. Medidas de CDTE mostram formação de bandas de corrente elétrica, variando com temperatura e tensão de polarização, e essas bandas são menores sob polarização direta, quando comparadas a polarização reversa. A incidência de luz (CDTEFI) tem influência
significativa nos efeitos dos dipolos de GaAs/SnO2:Er3+, provocando respostas diferentes sob variação de temperatura combinada com campo elétrico. Também é possível observar a influência da luz na amostra GaAs/SnO2:Eu3+ através das medidas de CDTE, além de i x V e i x T sob diferentes intensidades luminosas advindas de uma fonte de tungstênio-halogeneto alcalino, através de filtros passa-alto com corte em comprimentos de ondas específicos, que excitam diferentes dipolos, que são resultantes da interação entre defeitos com níveis de energia intrabandgap.
Na heteroestrutura entre SnO2 e GaAs, que já vem sendo estudada pelo nosso grupo, a camada de SnO2 é dopada com íons terras-raras trivalentes, ou seja, Eu3+ ou Er3+, material no qual esses íons possuem alta eficiência de emissão (PL). Eu3+ tem emissão no vermelho, ao passo que Er3+ tem emissão no infravermelho próximo, e verde. Além das medidas de corrente de despolarização termicamente estimulada (CDTE) para identificação e caracterização de dipolos elétricos, as medidas realizadas incluem: caracterização elétrica em função da temperatura (corrente x voltagem e resistividade) e influência da luz em faixas distintas de comprimento de onda.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Português
Citação
RUSSO, Fabricio Trombini. Propriedades ópticas e elétricas relacionadas a formação de dipolos em heteroestruturas baseadas em semicondutores óxidos. 2026. Relatório de Pós-doutorado (Ciência e Tecnologia de Materiais) - Faculdade de Ciências, Universidade Estadual Paulista (UNESP), Bauru, 2026.
