Método de preparação de transistor quântico e transistor quântico modificado

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dc.contributor.authorBueno, Paulo Roberto
dc.contributor.authorLopes, Laís Cristine
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho (UNESP)
dc.date.accessioned2023-07-26T17:09:33Z
dc.date.available2023-07-26T17:09:33Z
dc.date.created2022-01-13
dc.date.issued2023-07-25
dc.descriptionBR 10 2022 000629 6pt
dc.description.abstractTrata a presente invenção de um novo método de preparação de transistor quântico e transistor quântico modificado, o qual trata-se de um dispositivo eletroeletrônico da área de microeletrônica formado por, ou então contendo, estruturas do tipo unidimensionais ou bidimensionais que apresentam condutância e capacitância quântica, correlacionados por emaranhamento quântico; onde o transistor quântico obtido funciona em modo A.C. (corrente alternada) ou por perturbações transientes. Estes permitem todas as aplicações já disponíveis em transistores clássicos que operam em modo D.C. (corrente contínua), mas com vantagens adicionais que permeiam maiores sensibilidades e melhor desempenho de transporte eletrônico e de informação a longas distâncias no dispositivo, propriedades intrínsecas dos fenômenos quânticos e novas arquiteturas de transistores até então não possíveis de serem realizadas em modo D.C., como tem sido o caso dos transistores clássicospt
dc.identifierhttps://busca.inpi.gov.br/pePI/servlet/ImagemDocumentoPdfController?CodDiretoria=200&NumeroID=f4b6345ec41e76f0f11214e010a26731e0d8755e6498cc1ada79a17d62d61bbb&certificado=undefined&numeroProcesso=&ipasDoc=undefined&codPedido=1642940
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/244779
dc.language.isopor
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.titleMétodo de preparação de transistor quântico e transistor quântico modificadopt
dc.typePatente

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