Silicon monosulphide radiative association
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Data
2007-09-01
Autores
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Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
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Editor
Wiley-Blackwell
Tipo
Artigo
Direito de acesso
Acesso restrito
Resumo
Rate coefficients for radiative association of silicon and sulphur atoms to form silicon monosulphide (SiS) molecule are estimated. The radiative association is due mainly to approach in the E(1)Sigma(+) and A(1)Pi states of SiS. For temperatures ranging from similar to 1000 to similar to 14 000 K, the rate coefficients are found to vary from 8.43 x 10(-17) to 2.69 x 10(-16) cm(3) s(-1). Our calculated rate coefficient is higher than the values used in modelling the chemistry of Type Ia supernovae.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
Monthly Notices of the Royal Astronomical Society. Malden: Wiley-blackwell, v. 380, n. 1, p. 365-368, 2007.