Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

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dc.contributor.authorVasconcelos, J. S. [UNESP]
dc.contributor.authorVasconcelos, N. S. L. S. [UNESP]
dc.contributor.authorZanetti, S. M. [UNESP]
dc.contributor.authorGomes, J. W.
dc.contributor.authorLongo, Elson [UNESP]
dc.contributor.authorLeite, E. R.
dc.contributor.authorVarela, José Arana [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.institutionUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)
dc.contributor.institutionCentro Federal de Educação Federal do Maranhão Departamento de Química
dc.date.accessioned2014-05-20T15:16:21Z
dc.date.available2014-05-20T15:16:21Z
dc.date.issued2003-03-01
dc.description.abstractFilmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.pt
dc.description.abstractSrBi2Ta2O9 thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates and, for the first time, sintered in a domestic microwave oven. The X-ray diffraction patterns showed that the films are polycrystalline. The microwave processing allows to use a low temperature for the synthesis, obtaining films with good electrical properties. Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) results reveal good adherence between film and substrate and a surface microstructure presenting thin and spherical grains and roughness of 4.7 nm. The dielectric constant and the dissipation factor, for a frequency of 100 KHz at room temperature, were 77 and 0.04, respectively. The remaining polarization (2Pr) and the coercive field (Ec) were 1.04 C/cm² and 33 kV/cm, respectively. The behavior of the drift current density reveals three electric conduction mechanisms: linear, ohmic and another mechanism that can be attributed to the Schottky current. From the XRD patterns, analyses of the SEM images and AFM surface topography it was noticed that 10 min of thermal treatment at 550 ºC, in a microwave oven, is enough time to obtain the crystallization of the films.en
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista Instituto de Química
dc.description.affiliationUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar) Departamento de Química
dc.description.affiliationUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar) Departamento de Eletroeletrônica
dc.description.affiliationCentro Federal de Educação Federal do Maranhão Departamento de Química
dc.description.affiliationUnespUniversidade Estadual Paulista Instituto de Química
dc.format.extent61-65
dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132003000100013
dc.identifier.citationCerâmica. Associação Brasileira de Cerâmica, v. 49, n. 309, p. 61-65, 2003.
dc.identifier.doi10.1590/S0366-69132003000100013
dc.identifier.fileS0366-69132003000100013.pdf
dc.identifier.issn0366-6913
dc.identifier.scieloS0366-69132003000100013
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/30007
dc.language.isopor
dc.publisherAssociação Brasileira de Cerâmica
dc.relation.ispartofCerâmica
dc.relation.ispartofsjr0,186
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceSciELO
dc.subjectfilmes finospt
dc.subjectSBTpt
dc.subjectferroelétricopt
dc.subjectcristalizaçãopt
dc.subjectmicroondaspt
dc.subjectthin filmsen
dc.subjectSBTen
dc.subjectferroelectricsen
dc.subjectcrystallizationen
dc.subjectmicrowaveen
dc.titleFilmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondaspt
dc.title.alternativeSrBi2Ta2O9 thin films processed in microwave ovenen
dc.typeArtigo
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Instituto de Química, Araraquarapt

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