Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells

Página do item simplificado
dc.contributor.authorLaureto, E.
dc.contributor.authorMeneses, E. A.
dc.contributor.authorCarvalho Jr., W.
dc.contributor.authorBernussi, A. A.
dc.contributor.authorRibeiro, E.
dc.contributor.authorSilva, E. C. F. da
dc.contributor.authorOliveira, José Brás Barreto de [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
dc.contributor.institutionLaboratório Nacional de Luz Síncrotron
dc.contributor.institutionUniversidade de São Paulo (USP)
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2014-05-20T15:15:39Z
dc.date.available2014-05-20T15:15:39Z
dc.date.issued2002-06-01
dc.description.abstractPhotoluminescence (PL) and excitation PL measurements have been performed at different temperatures in a number of lattice-matched GaAs/In0.49Ga0.51P quantum wells, where the uctuations of the potential energy are comparable with the thermal energy of the photocreated carriers. Two samples with different well widths allow to observe a series of anomalous e ects in their optical response. The observed effects are related to the disorder in the interface, characterizing uctuations in the confinement potential energy. It is proposed that the carrier relaxation processes occur either at the local minima or at the absolute minimum of the confinement potential, depending on the ratio of the thermal energy and the magnitude of the potential fluctuations.en
dc.description.affiliationUniversidade Estadual de Campinas Instituto de Física 'Gleb Wataghin'
dc.description.affiliationLaboratório Nacional de Luz Síncrotron
dc.description.affiliationUniversidade de São Paulo Instituto de Física
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista Departamento de Física
dc.description.affiliationUnespUniversidade Estadual Paulista Departamento de Física
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
dc.format.extent314-317
dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332002000200017
dc.identifier.citationBrazilian Journal of Physics. Sociedade Brasileira de Física, v. 32, n. 2a, p. 314-317, 2002.
dc.identifier.doi10.1590/S0103-97332002000200017
dc.identifier.fileS0103-97332002000200017.pdf
dc.identifier.issn0103-9733
dc.identifier.lattes6977466698742311
dc.identifier.scieloS0103-97332002000200017
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/29728
dc.language.isoeng
dc.publisherSociedade Brasileira de Física
dc.relation.ispartofBrazilian Journal of Physics
dc.relation.ispartofjcr1.082
dc.relation.ispartofsjr0,276
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceSciELO
dc.titleOptical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wellsen
dc.typeArtigo
unesp.author.lattes6977466698742311
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Faculdade de Ciências, Baurupt
unesp.departmentFísica - FCpt

Arquivos

Pacote Original
Agora exibindo 1 - 1 de 1
Imagem de Miniatura
Nome:
S0103-97332002000200017.pdf
Tamanho:
176.13 KB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Baixar
Licença do Pacote
Agora exibindo 1 - 2 de 2
Nenhuma Miniatura disponível
Nome:
license.txt
Tamanho:
1.71 KB
Formato:
Item-specific license agreed upon to submission
Descrição:
Nenhuma Miniatura disponível
Nome:
license.txt
Tamanho:
1.71 KB
Formato:
Item-specific license agreed upon to submission
Descrição:

Coleções

Bauru - FC - Faculdade de Ciências