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Publicação:
Síntese e caracterização de filmes finos de óxido de zinco

dc.contributor.advisorBortoleto, José Roberto Ribeiro [UNESP]
dc.contributor.authorSilva, Erica Pereira da [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2014-06-11T19:30:19Z
dc.date.available2014-06-11T19:30:19Z
dc.date.issued2012-02-29
dc.description.abstractNeste trabalho filmes finos de ZnO foram depositados em substratos de vidro pela técnica de RF magnetron sputtering. Como precursores foram utilizados um alvo de zinco metálico e gás oxigênio. Duas séries de filmes finos de ZnO foram obtidas. Na primeira, foram obtidos filmes de ZnO eletricamente isolantes com transmitância óptica acima de 80%. Na segunda série de deposição, os filmes finos de ZnO também apresentaram transmitância óptica na região do visível em torno de 80%. Porém, nesta série os filmes apresentaram baixos valores de resistividade elétrica, em torno de 1,6 x 10-3Ώ cm. Os resultados de morfologia superficial das duas séries, mostraram que as estruturas de grãos dos filmes finos de ZnO evoluíram em tamanho e altura com o aumento da espessura. As análises de difração de raios X realizadas para os filmes de ZnO mostraam um pico preferencial no plano (002), correspondente a estrutura wurtzita do ZnO, classificando os filmes como policristalinospt
dc.description.abstractIn this work ZnO films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering technique. A target of metallic zinc and oxygen gas were used as precursors. Two series of ZnO thin films were obtained. in the first ZnO films were obtained with high optical transmittance, above 80%, but the films showed a high electrical resistivity. In the second set of depositions, the ZnO thin films also showed a high optical transmittance in the visible region, around 80%. However, this samples had low resistivity values, about 1.6x10-3Ώ cm. The results of the surface morphology of the two series showed that the grain structures of ZnO thin films developed in size and heigh with increasing thickness. The analysis of X-ray diffraction for the ZnO films showed a peak in the preferred plan (002), corresponding to the ZnO wurtzite structure, classifying films as polycrystallineen
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.format.extent73 f. : il.
dc.identifier.aleph000687524
dc.identifier.capes33004056083P7
dc.identifier.citationSILVA, Erica Pereira da. Síntese e caracterização de filmes finos de óxido de zinco. 2012. 73 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências, 2012.
dc.identifier.filesilva_ep_me_bauru.pdf
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/99688
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceAleph
dc.subjectÓxido de zinco - Propriedades estruturaispt
dc.subjectFilmes finospt
dc.subjectZinc oxide - Electric propertiesen
dc.subjectThin filmsen
dc.titleSíntese e caracterização de filmes finos de óxido de zincopt
dc.typeDissertação de mestrado
dspace.entity.typePublication
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Ciências, Baurupt
unesp.graduateProgramCiência e Tecnologia de Materiais - FCpt

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