Publicação: Radiative association of C and P, and Si and P atoms
Carregando...
Data
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Wiley-Blackwell
Tipo
Artigo
Direito de acesso
Acesso restrito
Resumo
The rate coefficients for the formation of carbon monophosphide (CP) and silicon monophosphide (SiP) by radiative association are estimated for temperatures ranging from 300 to 14 100 K. In this temperature range, the radiative association rate coefficients are found to vary from 1.14 x 10(-18) to 1.62 x 10(-18) cm(3) s(-1) and from 3.73 x 10(-20) to 7.03 x 10(-20) cm(3) s(-1) for CP and SiP, respectively. In both cases, rate coefficients increase slowly with the increase in temperature.
Descrição
Palavras-chave
atomic data, atomic processes, circumstellar matter, ISM : molecules
Idioma
Inglês
Como citar
Monthly Notices of the Royal Astronomical Society. Malden: Wiley-blackwell, v. 372, n. 4, p. 1653-1656, 2006.
