Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor
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Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Tipo
Trabalho apresentado em evento
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Acesso restrito
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Resumo
In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect.
Descrição
Idioma
Inglês
Citação
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2019.
