Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UV

Os dados apresentados correspondem ao estudo de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate visando aplicações como fotodetectores UV, o que contempla investigação de dispositivos contraparte das arquiteturas planar e vertical, de modo a obter uma compreensão ampla da operação do transistor. Essas contrapartes incluem resistores, capacitores, diodos e os próprios transistores (planar e vertical). Também são apresentados dados relativos a transistores eletrolíticos produzidos sobre substratos à base de celulose (madeira e papel) foco em eletrônica sustentável. O conjunto de dados inclui caracterizações como as elétricas (curvas de saída e de transferência, correntes de fuga, medidas I–V e transientes, entre outras), microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica, espectroscopia de impedância, perfilometria, ângulo de contato, espectro de fotoluminescência.

Palavras-chave

Transistores verticais, EGTs, Fotodetectores UV

Idioma

Português

Citação

VIEIRA, Douglas Henrique. Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UV. Repositório Institucional Unesp, 2026. Dados de pesquisa.