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Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UV

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dc.contributor.authorVieira, Douglas Henrique
dc.contributor.institutionFaculdade de Ciências e Tecnologia (FCT Unesp)pt
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)pt
dc.date.accessioned2026-02-09T20:36:55Z
dc.date.issued2026-02-07
dc.descriptionOs dados apresentados correspondem ao estudo de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate visando aplicações como fotodetectores UV, o que contempla investigação de dispositivos contraparte das arquiteturas planar e vertical, de modo a obter uma compreensão ampla da operação do transistor. Essas contrapartes incluem resistores, capacitores, diodos e os próprios transistores (planar e vertical). Também são apresentados dados relativos a transistores eletrolíticos produzidos sobre substratos à base de celulose (madeira e papel) foco em eletrônica sustentável. O conjunto de dados inclui caracterizações como as elétricas (curvas de saída e de transferência, correntes de fuga, medidas I–V e transientes, entre outras), microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica, espectroscopia de impedância, perfilometria, ângulo de contato, espectro de fotoluminescência.pt
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)pt
dc.description.sponsorshipIdFAPESP: 2020/12282-4
dc.description.sponsorshipIdFAPESP: 2023/06645-5
dc.format.rar
dc.identifier.citationVIEIRA, Douglas Henrique. Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UV. Repositório Institucional Unesp, 2026. Dados de pesquisa.pt
dc.identifier.lattes2237859221654853
dc.identifier.orcid0000-0002-2813-5842
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11449/319428
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso abertopt
dc.subjectTransistores verticaispt
dc.subjectEGTspt
dc.subjectFotodetectores UVpt
dc.titleDesenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UVpt
dc.title.alternativeDevelopment of vertical electrolyte-gated field effect transistors for UV photodetectorsen
dc.typeDado de pesquisapt
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublicationaeef58be-819d-4181-818e-c38719fdf00e
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relation.isOrgUnitOfPublicationbbcf06b3-c5f9-4a27-ac03-b690202a3b4e
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unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Ciências e Tecnologia, Presidente Prudentept
unesp.departmentFísica - FCTpt
unesp.embargoOnlinept

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