Estudo do processo de anodização de alumínio metálico visando aplicação em camadas dielétricas de capacitores e transistores
Carregando...
Arquivos
Data
Autores
Orientador
Santos, Lucas Fugikawa 
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Física - IGCE
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Tipo
Trabalho de conclusão de curso
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
Resumo (português)
Neste trabalho o autor estuda o processo de anodização do alumínio metálico para formação de Al2O3 buscando aplicar na fabricação de transistores de filme fino (TFT). Para investigar a influência de parâmetros como densidade de corrente, pH da solução eletrolítica, tensão final e o tempo em que essa tensão é mantida, usados na técnica de anodização foram confeccionados capacitores de placas paralelas, por sua vez analisados usando o método de espectroscopia de impedância. Foi possível encontrar uma relação entre constante dielétrica e taxa de crescimento da camada de óxido de alumínio anodizado (OAA), tempo de corrente constante com variação da capacitância em relação à frequência, tensão de ruptura do dielétrico de óxido de alumínio anodizado, e a relevância de outros fatores como o método usado para deposição do alumínio metálico no substrato de vidro.
Resumo (inglês)
In this work the author studies the anodizing process of metallic aluminum for Al2O3 formation aiming to apply in the manufacture of thin film transistors (TFT). To investigate the influence of parameters such as current density, pH of the electrolyte solution, final voltage and the time at which this voltage is maintained, used in the anodizing technique, parallel plate capacitors were made, therefore using the impedance spectroscopy method. It was possible to find a relation between dielectric constant and growth rate of anodized aluminum oxide (OAA) layer, constant current time with varying capacitance in relation to frequency, anodized aluminum oxide dielectric breakdown voltage, and relevance other factors such as the method used for the deposition of metallic aluminum on the glass substrate.
Descrição
Palavras-chave
Medidas elétricas, Física, Dispositivos de filme fino
Idioma
Português
