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dc.contributor.advisorSilva, José Humberto Dias da [UNESP]
dc.contributor.authorCarvalho, Adriano Vieira de [UNESP]
dc.date.accessioned2014-06-11T19:23:30Z
dc.date.available2014-06-11T19:23:30Z
dc.date.issued2009-06-23
dc.identifier.citationCARVALHO, Adriano Vieira de. Preparação de filmes policristalinos de GaN pela técnica de sputtering reativo a baixas temperaturas de substrato. 2009. 105 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências de Bauru, 2009.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/88491
dc.description.abstractDescreve-se a preparação de várias amostras de filmes finos de Nitreto de Gálio (GaN), depositados sobre diferentes tipos de substratos pela utilização da técnica de RF-Magnetron Sputtering Reativo, utilizando-se atmosfera de nitrogênio ('N POT. 2') com diferentes temperaturas de substrato (< 400ºC). As amostras foram caracterizadas estruturalmente pelo uso da técnica de difração de raio-X (DRX), permitindo a obtenção de informações sobre tamanhos de cristalito, padrões de texturação e parâmetros de rede. A ocorrência de textura de orientação bem definida e a relação desta com as condições do alvo utilizado são analisadas no trabalho.pt
dc.description.abstractThe preparation of several samples of Gallium Nitride (GaN) thin films, deposited onto different kinds of substrates by Reactive RD - Magnetron Sputtering, in pure Nitrogen ('N POT. 2') atmosphere with different substrate temperatures (< 400ºC) is described. The samples were structurally characterized by the use of X-ray diffraction, allowing obtain of information about cristalite size, texture pattern, and lattice parameters. The occurence of orientation texture and its relationship with target conditions are analysed.en
dc.format.extent105 f. : il.
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.sourceAleph
dc.subjectCienciapt
dc.subjectCrepitação (Fisica)pt
dc.subjectPolicristalinopt
dc.subjectTemperatura de substratopt
dc.subjectSputteringen
dc.titlePreparação de filmes policristalinos de GaN pela técnica de sputtering reativo a baixas temperaturas de substratopt
dc.typeDissertação de mestrado
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
unesp.graduateProgramCiência e Tecnologia de Materiais - FCpt
unesp.knowledgeAreaCiência e tecnologia de materiaispt
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Faculdade de Ciências, Baurupt
dc.identifier.aleph000593114
dc.identifier.filecarvalho_av_me_bauru.pdf
dc.identifier.capes33004056083P7
dc.identifier.lattes1134426200935790
unesp.author.lattes1134426200935790
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