Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução

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dc.contributor.advisorSantos, Lucas Fugikawa [UNESP]
dc.contributor.authorBraga, João Paulo
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2023-06-16T13:25:25Z
dc.date.available2023-06-16T13:25:25Z
dc.date.issued2023-04-20
dc.description.abstractEsta tese de doutorado é o resultado de alguns trabalhos realizados em estudos de dispositivos eletrônicos à base de óxidos metálicos processados por solução. O primeiro trabalho apresenta um estudo comparativo de como o método de deposição (spray-pirólise e spin-coating) da camada ativa de transistores de filme fino (TFT) afeta as propriedades físicas e o desempenho dos dispositivos. As propriedades dos filmes foram analisadas através de técnicas de espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS), análise termogravimétrica (TG), microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raio-x (DRX), espectroscopia UV-Vis e Elipsometria, enquanto as propriedades elétricas foram analisadas através das curvas características de um TFT, analisando a mobilidade dos portadores de carga, tensão limiar e da resistência elétrica dos filmes. O segundo trabalho apresentado nessa tese analisa os efeitos de defeitos intrínsecos na interface entre o semicondutor/isolante em TFT nas propriedades elétricas dos dispositivos através da variação da espessura da camada dielétrica (100, 200 e 300 nm) e da temperatura (80 – 350k). A influência de parâmetros como a estrutura e temperatura permitiram uma análise mais detalhada do transporte de carga de dispositivos TFT, fornecendo, dessa forma, um maior conhecimento das propriedades físicas dos materiais estudados.pt
dc.description.abstractThis doctoral thesis results from some work carried out in the study of electronic devices based on metallic oxides processed by solution. The first part of the work presents a comparative study of how the deposition method (spray-pyrolysis and spincoating) of the active layer of thin film transistors (TFT) affects both the physical properties and the performance of the devices. The properties of the films were analyzed using Xray photoelectron spectroscopy (XPS), thermogravimetric analysis (TG), scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), UV-Vis spectroscopy, and ellipsometry, while the electrical properties were analyzed through the characteristic curves of a TFT, analyzing the mobility of charge carriers, threshold voltage and electrical resistance of the films. The second work presented in this thesis analyzes the effects of intrinsic defects at the interface between the semiconductor/insulator in TFT on the electrical properties of the devices by varying the thickness of the dielectric layer (100, 200 and 300 nm) and temperature (80 – 350k). The influence structure and temperature allowed a more detailed analysis of the charge transport of TFT devices, providing greater knowledge of the physical properties of the studied materials.en
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
dc.description.sponsorshipIdCapes: 001
dc.identifier.capes33004153068P9
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/244089
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.subjectTransistor de ZnOpt
dc.subjectSpray-pirólisept
dc.subjectSpin-coatingpt
dc.subjectDefeitos intrínsecos de interfacept
dc.subjectDispositivos eletrônicospt
dc.subjectZnO transistoren
dc.subjectInterface intrinsic defectsen
dc.subjectElectronic devicesen
dc.titleEstudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por soluçãopt
dc.title.alternativeStudy of the electrical and morphological properties of solution processed zinc oxide thin film transistorsen
dc.typeTese de doutorado
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Instituto de Biociências Letras e Ciências Exatas, São José do Rio Pretopt
unesp.embargoOnlinept
unesp.examinationboard.typeBanca públicapt
unesp.graduateProgramBiofísica Molecular - IBILCEpt
unesp.knowledgeAreaBiofísica molecularpt
unesp.researchAreaNovos Materiais, Biomateriais e Aplicações Tecnológicaspt

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