Estudo da anisotropia óptica e elétrica de filmes finos derivados do politiofeno

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dc.contributor.advisorOlivati, Clarissa de Almeida [UNESP]
dc.contributor.authorRiga Junior, Luiz Antonio
dc.contributor.coadvisorBatagin Neto, Augusto
dc.contributor.institutionFaculdade de Ciências e Tecnologia - FCT Unesp - Presidente Prudentept
dc.date.accessioned2024-05-03T14:40:52Z
dc.date.available2024-05-03T14:40:52Z
dc.date.issued2024-02-26
dc.description.abstractOs Politiofenos são polímeros semicondutores amplamente estudados e aplicados em diversos tipos de dispositivos. Na literatura, podem ser encontrados trabalhos que tratam de caracterizações referentes a anisotropia de politiofenos e que no entanto não abordam filmes finos produzidos através da técnica de Langmuir-Schaefer (LS). Este trabalho visou o estudo da anisotropia em filmes finos de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) e poli(3-octiltiofeno) (P3OT), confeccionados por LS com alteração no ângulo de deposição utilizado. Os resultados obtidos aparentam indicar boa organização estrutural para os filmes LS de P3HT e P3OT, este indicando a formação de filmes com maior anisotropia óptica bem como anisotropia elétrica mais acentuada em comparação com os filmes LS de P3HT. Para as deposições realizadas, a que obteve melhores resultados de fotocorrente foram para o filme de P3OT depositado com orientação do eletrodo interdigitado ortogonal às barreiras móveis da cuba de Langmuir, indicando uma clara relação entre a orientação de deposição e a intensidade de respostas elétricas dos filmes. Além disso, foram obtidos diferentes resultados de fotocondutividade para faixas de comprometimento de onda distintas, indicando a possibilidade da existência de mecanismos diferenciados de fotoexcitação que dependem do comprimento de onda da luz incidente nos filmes LS de P3OT. Os dados experimentais obtidos possuem grande potencial para a investigação dos mecanismos envolvidos na geração e transporte de carga para filmes LS de politiofenos, que pode culminar no aperfeiçoamento das técnicas de deposição mais adequadas para cada material.pt
dc.description.abstractPolythiophenes are semiconductor polymers widely studied and applied in different types of devices. In the literature, researches can be found that deal with characterizations relating to the anisotropy of polythiophenes which, however, do not address thin films produced using the Langmuir-Schaefer (LS) technique. This work aimed to study the anisotropy in thin films of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and poly(3-Octylthiophene) (P3OT), made by LS with changes in the deposition angle used. The results obtained appear to indicate good structural organization for the P3HT and P3OT LS films, which indicates the formation of films with greater optical anisotropy as well as more pronounced electrical anisotropy compared to the P3HT LS films. For the depositions carried out, the one that obtained the best photocurrent results were for the P3OT film deposited with the orientation of the interdigitated electrode orthogonal to the mobile barriers of the Langmuir trough, indicating a clear relationship between the deposition orientation and the intensity of electric responses from the films. Furthermore, different photoconductivity results were obtained for different wavelength ranges, indicating the possibility of the existence of different photoexcitation mechanisms that depend on the wavelength of the light incident on the P3OT LS films. The experimental data obtained has great potential for investigating the mechanisms involved in charge generation and transport for polythiophene LS films, which can culminate in the improvement of the most suitable deposition techniques for each material.en
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)pt
dc.description.sponsorshipIdCAPES: 001
dc.identifier.citationRIGA JUNIOR, Luiz Antonio. Estudo da anisotropia óptica e elétrica de filmes finos derivados do politiofeno. Orientador: Clarissa de Almeida Olivati. 2024. 74 f. Dissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade Estadual Paulista, Presidente Prudente, 2024.pt
dc.identifier.lattes7152225541198134
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11449/255466
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso abertopt
dc.subjectPolitiofenospt
dc.subjectAnisotropiapt
dc.subjectFilmes de Langmuir-Schaeferpt
dc.subjectFotocondutividadept
dc.subjectPolythiophenesen
dc.subjectAnisotropyen
dc.subjectLangmuir-Schaefer filmsen
dc.subjectPhotoconductivityen
dc.titleEstudo da anisotropia óptica e elétrica de filmes finos derivados do politiofenopt
dc.title.alternativeStudy of the optical and electrical anisotropy of thin films derived from polythiopheneen
dc.typeDissertação de mestradopt
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Faculdade de Ciências e Tecnologia, Presidente Prudentept
unesp.embargoOnlinept
unesp.examinationboard.typeBanca públicapt
unesp.graduateProgramCiência e Tecnologia de Materiais - FC/FCT/FEB/FEIS/IBB/ICTS/IQAR 33004056083P7pt
unesp.knowledgeAreaCiência e tecnologia de materiaispt
unesp.researchAreaMateriais Poliméricos, Cerâmicos Híbridos, e Nano Estruturais e Materiais Eletrônicos e Fotônicospt

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