Óxidos metálicos semicondutores processados por solução aplicados em transistores de filme fino

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dc.contributor.authorSantos, Lucas Fugikawa
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2023-08-28T11:23:58Z
dc.date.available2023-08-28T11:23:58Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractTransistores de filme fino (TFTs) à base de óxidos metálicos como o óxido de zinco (ZnO) podem ser processados por solução, podendo atingir desempenho superior aos dispositivos à base de silício amorfo comercialmente disponíveis. Além de melhor desempenho, estes materiais possuem a vantagem de permitirem o recobrimento de grandes áreas, apresentarem baixo custo de produção, serem transparentes na região do visível e, em algumas situações, serem compatíveis com substratos flexíveis. No entanto, eles ainda apresentam uma variabilidade de suas propriedades elétricas com a exposição ao oxigênio, à umidade e à radiação ultravioleta (UV), o que faz com que seja necessário um estudo mais aprofundado de suas propriedades. Além disso, a morfologia dos filmes e a arquitetura do dispositivo são fatores determinantes em sua performance. O presente trabalho mostra os resultados obtidos nos últimos anos pelo Laboratório de Eletrônica Impressa e de Materiais Eletrônicos no desenvolvimento e caracterização de transistores de filmes finos processados por solução. A experiência adquirida tem permitido a ampliação da gama de aplicações dos TFTs como, por exemplo, em unidades sensoriais de substâncias químicas de interesse tecnológico e circuitos lógicos transparentes e/ou flexíveispt
dc.description.abstractThin-film transistors (TFTs) based on metal oxides such as zinc oxide (ZnO) can be solution processed, achieving superior performance than commercially available amorphous silicon-based devices. In addition to better performance, these materials have the advantage of allowing the coverage of large areas, low production cost, transparency in the visible region and, in some situations, compatibility with flexible substrates. However, they still exhibit a variability of their electrical properties with exposure to oxygen, moisture and ultraviolet (UV) radiation, which necessitates a more in-depth study of their properties. In addition, the morphology of the films and the architecture of the device can be determinant in their performance. The current work shows the latest results from the Printed Electronics and Electronic Materials Laboratory on the development and characterization of solution-processed thin-film transistors. The acquired experience has allowed the expansion of the range of TFT applications, such as in sensor units of chemical substances of technological interest and transparent and/or flexible logic circuitspt
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista, Instituto de Geociências e Ciências Exatas, Departamento de Física
dc.identifier.lattes0101178832675166
dc.identifier.orcid0000-0001-7376-2717
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/250467
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Uunesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.subjectDispositivos eletrônicospt
dc.subjectSemicondutorespt
dc.subjectÓxidos metálicospt
dc.subjectTransistores de filme finopt
dc.subjectTransporte de cargapt
dc.subjectFilmes finospt
dc.subjectSemiconductorsen
dc.subjectMetallic oxidesen
dc.subjectThin filmsen
dc.titleÓxidos metálicos semicondutores processados por solução aplicados em transistores de filme finopt
dc.typeTese de livre-docência
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (Unesp), Instituto de Geociências e Ciências Exatas, Rio Claropt

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