Silício como mitigador da deficiência de potássio em feijoeiro

Abstract

A deficiência oculta de potássio (K) é comum em feijoeiro, mas o silício (Si) quando fornecido via solução nutritiva (raiz) ou via foliar pode aliviar os estresses ocasionados pela deficiência deste nutriente, entretanto, isso ainda não é conhecido nesta espécie. A partir disso, objetivou-se verificar a melhor fonte e concentração de Si aplicado via foliar, e se essa fonte fornecida via solução nutritiva e foliar é eficiente em mitigar os estresses por deficiência de potássio em feijoeiro. Para isso, foram desenvolvidos dois experimentos em casa de vegetação com plantas de feijão cultivadas em sistema hidropônico. Um estudo preliminar visou definir a melhor fonte e concentração de Si aplicados via foliar. O segundo experimento foi em esquema fatorial 2x3, com solução nutritiva deficiente (0,2 mmol L-1 de K) e suficiente (6 mmol L-1 de K) em potássio, e o fornecimento de Si foi via solução nutritiva (2 mmol L-1 de Si), foliar (5,36 mmol L-1 de Si) e controle (0 mmol L-1 de Si), disposto em delineamento inteiramente casualizado, em 4 repetições. Foram avaliados parâmetros fisiológicos, nutricionais e crescimento das plantas. E verificou-se que a pulverização foliar com Si foi viável agronomicamente para o feijoeiro, destacando-se o silicato de sódio e potássio estabilizado na concentração de 5,36 mmol L-1. A deficiência de K causou prejuízo no desenvolvimento das plantas de feijão que não receberam Si. O Si mitigou estresses por deficiência de K no feijoeiro devido a melhoria das variáveis nutricionais, fisiológicas e de crescimento, destacando-se o fornecimento de Si via solução nutritiva em relação a via foliar, embora essa última forma de aplicação do elemento benéfico também atenuou os efeitos da deficiência do macronutriente.

Undetected potassium (K) deficiency is common in bean plants. Although silicon (Si) supplied via nutrient solution (roots) or foliar application may alleviate the resulting stress, it remains unknown in this species. This pioneering study aimed to determine the best source and concentration of leaf-applied Si, and whether providing it via nutrient solution and foliar application is efficient in alleviating K deficiency stress in bean plants. To that end, two experiments were conducted in a greenhouse with bean plants grown in a hydroponic system. Due to the lack of reliable information for the bean plant, a preliminary study aimed at determining the best leaf-applied source and concentration of Si. The second experiment used a completely randomized 2x3 factorial design, with deficient (0.2 mmol L-1 of K) and sufficient potassium solution (6 mmol L-1 of K), Si supplied via nutrient solution (2 mmol L-1 of Si), foliar application (5.36 mmol L -1 of Si) and controls (0 mmol L-1 of Si), and 4 repetitions. Physiological, nutritional and plant growth parameters were measured. Foliar spraying with Si was agronomically feasible for the bean plant, with silicate of sodium and potassium stabilized at a concentration of 5.36 mmol L -1 . K deficiency without the addition of Si compromised plant growth. Si mitigated K deficiency stress in the bean plant due to enhanced nutritional, physiological and growth variables, underscoring Si supply via nutrient solution over foliar application, although the latter also attenuated K deficiency.