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Optical and structural properties of GaAs/GaInP quantum wells grown by Chemical Beam Epitaxy

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dc.contributor.authorMartins, M. R. [UNESP]
dc.contributor.authorOliveira, José Brás Barreto de [UNESP]
dc.contributor.authorTabata, Américo Sheitiro [UNESP]
dc.contributor.authorLaureto, E.
dc.contributor.authorBettini, J.
dc.contributor.authorMeneses, E. A.
dc.contributor.authorCarvalho, M. M. G.
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
dc.contributor.institutionLaboratório Nacional de Luz Sincroton - LNLS
dc.date.accessioned2014-05-20T15:15:41Z
dc.date.available2014-05-20T15:15:41Z
dc.date.issued2004-06-01
dc.description.abstractIn this work we investigated the optical and structural properties of GaAs/GaInP quantum wells (QW) grown by Chemical Beam Epitaxy (CBE). The samples were characterized by photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and transmission electron microscopy (TEM). Simulations of the quantum well potential profiles, using the Van de Walle-Martin model, supplemented by our experimental results, allowed us to associate the interface properties with the growth procedures. We concluded that a thin GaP layer grown at the interface improves its quality and also that the observed broad emission band in the PL spectrum is related to quaternary Ga1-xIn xAs1-yPy.en
dc.description.affiliationUniversidade Estadual Paulista - UNESP Departamento de Física
dc.description.affiliationUNICAMP Instituto de Física Gleb Wathagin
dc.description.affiliationLaboratório Nacional de Luz Sincroton - LNLS
dc.description.affiliationUnespUniversidade Estadual Paulista - UNESP Departamento de Física
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
dc.description.sponsorshipFundação para o Desenvolvimento da UNESP (FUNDUNESP)
dc.format.extent620-622
dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332004000400022
dc.identifier.citationBrazilian Journal of Physics. Sociedade Brasileira de Física, v. 34, n. 2b, p. 620-622, 2004.
dc.identifier.doi10.1590/S0103-97332004000400022
dc.identifier.fileS0103-97332004000400022.pdf
dc.identifier.issn0103-9733
dc.identifier.lattes6977466698742311
dc.identifier.lattes9354064620643611
dc.identifier.scieloS0103-97332004000400022
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/29740
dc.language.isoeng
dc.publisherSociedade Brasileira de Física
dc.relation.ispartofBrazilian Journal of Physics
dc.relation.ispartofjcr1.082
dc.relation.ispartofsjr0,276
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceSciELO
dc.titleOptical and structural properties of GaAs/GaInP quantum wells grown by Chemical Beam Epitaxyen
dc.typeArtigo
dspace.entity.typePublication
unesp.author.lattes6977466698742311
unesp.author.lattes9354064620643611[3]
unesp.author.orcid0000-0002-9389-0238[3]
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Ciências, Baurupt
unesp.departmentFísica - FCpt

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