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Publicação:
Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício

dc.contributor.advisorVarela, José Arana [UNESP]
dc.contributor.authorSouza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.date.accessioned2014-06-11T19:32:11Z
dc.date.available2014-06-11T19:32:11Z
dc.date.issued2006-04-24
dc.description.abstractNesta tese estudou-se a preparação de filmes finos de PZT não dopados e dopados com Nióbio, depositados sobre substratos de Pt/Ti/SiO2/Si para aplicações em memórias não voláteis de acesso randômico (NVRAM) e memórias ferroelétricas de acesso randômico (FeRAM). A dopagem dos filmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrodos de Pt na preparação de filmes de PZT. Além disso, a dopagem do PZT com Nb levou a uma melhoria na resistência à fadiga em substratos platinizados. Os filmes foram preparados pelo método das soluções precursoras poliméricas. A influência do tratamento térmico, em forno convencional e em forno microondas, nas propriedades microestruturais e ferroelétricas dos filmes também foi avaliada.pt
dc.description.abstractIn this thesis, we have studied the preparation of non-doped and Nb-doped PZT thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates for applications in NVRAM and FeRAM devices. Nb doping of PZT films produces good values of ferroelectric properties for the application as ferroelectric memories. PZT films on Pt electrodes present imprint, fatigue and leakage current. We have prepared LaNiO3 films on SiO2/Si substrates to substitute Pt electrodes. Moreover, Nb-doped PZT films deposited on Pt electrodes lead to improved fatigue resistance when compared with non doped PZT films. Non-doped and Nb-doped PZT thin films and LaNiO3 thin films were deposited by the polymeric precursor method. The influence of the thermal treatment in conventional and microwaves oven on the microstructural and ferroelectric properties was evaluated.en
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
dc.format.extent110 f. : il.
dc.identifier.aleph000464992
dc.identifier.capes33004030072P8
dc.identifier.citationSOUZA, Éder Carlos Ferreira de. Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício. 2006. 110 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual Paulista, Instituto de Química, 2006.
dc.identifier.filesouza_ecf_dr_araiq.pdf
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/102584
dc.language.isopor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rights.accessRightsAcesso aberto
dc.sourceAleph
dc.subjectFilmes finos - Materiaispt
dc.subjectNiobiopt
dc.subjectPrecursores poliméricospt
dc.subjectFísico-químicapt
dc.subjectMemórias ferroelétricaspt
dc.subjectThin filmen
dc.subjectNiobiumen
dc.subjectFerroelectric memoriesen
dc.titleFilmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silíciopt
dc.typeTese de doutorado
dspace.entity.typePublication
unesp.campusUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Instituto de Química, Araraquarapt
unesp.graduateProgramQuímica - IQAR 33004030072P8pt
unesp.knowledgeAreaFísico-químicapt

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