Publicação: On the assessment of electrically active defects in high-mobility materials and devices
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Data
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Pós-graduação
Curso de graduação
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Editor
Ieee
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
A possible strategy for the characterization of grown-in and processing-induced electrically active point and extended defects in high-mobility substrates is presented and illustrated by examples obtained on Ge as a prototype system.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
2016 13th Ieee International Conference On Solid-state And Integrated Circuit Technology (icsict). New York: Ieee, p. 300-303, 2016.
