Dipole relaxation current in n-type AlxGa1-xAs
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Data
1994-01-01
Autores
Scalvi, Luis Vicente de Andrade [UNESP]
Oliveira, L.
Li, M. S.
Manasreh, M. O.
vonBardeleben, H. J.
Pomrenke, G. S.
Lannoo, M.
Talwar, D. N.
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Editor
Materials Research Society
Resumo
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Como citar
Physics and Applications of Defects In Advanced Semiconductors. Pittsburgh: Materials Research Soc, v. 325, p. 285-290, 1994.