Dipole relaxation current in n-type AlxGa1-xAs

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Data

1994-01-01

Orientador

Coorientador

Pós-graduação

Curso de graduação

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Editor

Materials Research Society

Tipo

Trabalho apresentado em evento

Direito de acesso

Acesso abertoAcesso Aberto

Resumo

Descrição

Palavras-chave

Idioma

Inglês

Como citar

Physics and Applications of Defects In Advanced Semiconductors. Pittsburgh: Materials Research Soc, v. 325, p. 285-290, 1994.

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