Formation of SiC by radiative association

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Data

2009-12-21

Orientador

Coorientador

Pós-graduação

Curso de graduação

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Editor

Wiley-Blackwell Publishing, Inc

Tipo

Artigo

Direito de acesso

Acesso abertoAcesso Aberto

Resumo

Rate coefficients for radiative association of silicon and carbon atoms to form silicon carbide molecule (SiC) are estimated. The radiative association of Si(3P) and C(3P) atoms mainly occurs through the C3 Pi state followed by radiative decay to the X3 Pi state. For the temperature range of 300-14 000 K, the rate coefficients slowly increase with temperature and they can be expressed by K(T) = 2.038 x 10-17(T/300)-0.01263 exp(-136.73/T) cm3 s-1.

Descrição

Idioma

Inglês

Como citar

Monthly Notices of The Royal Astronomical Society. Malden: Wiley-blackwell Publishing, Inc, v. 400, n. 4, p. 1892-1896, 2009.

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