Influence of spacer materials on underlapped and self-aligned UTBB SOI nMOSFET
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Data
2016-01-01
Orientador
Coorientador
Pós-graduação
Curso de graduação
Título da Revista
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Editor
Ieee
Tipo
Trabalho apresentado em evento
Direito de acesso
Acesso aberto
Resumo
In this paper the influence of spacer material (Si3N4 SiO2 or vacuum) on Ultra Thin Body and Buried Oxide (UTBB) SOI nMOSFET for underlapped and self-aligned drain engineering devices are studied by bi-dimensional numerical simulations. It is observed that the short length underlap devices are more influenced by spacer material On the other hand, self-aligned does not present much spacer material dependence for the studied dimensions.
Descrição
Palavras-chave
Idioma
Inglês
Como citar
2016 31st Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro). New York: Ieee, 4 p., 2016.